N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。