MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。