半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。