雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。