問答題什么是錯位?
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半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題