絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。