MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。