半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。