1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。