p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。