柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。