（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。