第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。