晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。