P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。