晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。