MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。