單項選擇題光圖定向法結果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復雜較大
C．簡單較小
D．復雜較小
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1.單項選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
2.單項選擇題用冷熱探筆法測量（）半導體時，冷端帶正電，熱端帶負電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。
題型：填空題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。
題型：填空題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題