MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。