MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。