1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。