雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。