“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。