雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。