半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。