1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管閾值電壓的單位是eV。