理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。