n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。