MOS管閾值電壓的單位是eV。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。