雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。