n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。