第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。