MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。