名詞解釋半導體
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1.單項選擇題對稱三相交流電路無功功率的表達式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
2.單項選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
3.單項選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
4.單項選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
5.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
最新試題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產最主要的一種是()。
題型:填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題