單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中，電壓保持不變，提高電源頻率，電路中的電流將會(huì)（）。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
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1.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中，一般電壓表的指示值是（）。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
2.單項(xiàng)選擇題電容量的單位符號(hào)是（）。
A、C
B、F
C、S
D、T
3.單項(xiàng)選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關(guān)系是（）。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題