絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。