判斷題法拉第電磁感應(yīng)定律表明，線圈內(nèi)磁通變化的速率越大則感應(yīng)電動(dòng)勢越小。
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3.單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場中所受到磁場力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
4.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
5.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題