單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場中所受到磁場力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
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1.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動勢的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
2.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
3.單項(xiàng)選擇題電場強(qiáng)度的單位符號是（）。
A、V/m
B、V
C、W
D、VA
最新試題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題