N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線(xiàn)含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。