雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。