雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。