單項(xiàng)選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對(duì)的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時(shí)功率
C、有功功率
D、無功功率
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1.單項(xiàng)選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時(shí),則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
2.單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會(huì)()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
3.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
4.單項(xiàng)選擇題電容量的單位符號(hào)是()。
A、C
B、F
C、S
D、T
5.單項(xiàng)選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關(guān)系是()。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題