單項選擇題電阻與電感串聯的交流電路中，當電阻與感抗相等時，則電壓與電流的相位關系是（）。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
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1.單項選擇題在純電感交流電路中，電壓保持不變，提高電源頻率，電路中的電流將會（）。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
2.單項選擇題正弦交流電路中，一般電壓表的指示值是（）。
A、最大值
B、瞬時值
C、平均值
D、有效值
3.單項選擇題電容量的單位符號是（）。
A、C
B、F
C、S
D、T
4.單項選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關系是（）。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。
題型：填空題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型：判斷題