問答題一定溫度，雜質在晶體中具有最大平衡濃度，這一平衡濃度就稱為什么？
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1.單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以，有時不可以
2.單項選擇題當晶體生長的較快，內坩堝中雜質量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
3.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
4.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質譜法
D.紅外光譜分析法
5.單項選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時又可減少雜質污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
最新試題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題