單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
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1.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
2.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻
3.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
4.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.
A.13
B.14
C.15
D.16
5.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題