單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
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1.單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
2.單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
3.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
4.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻
5.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
最新試題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題