單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以，有時不可以
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1.單項選擇題當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
2.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
3.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
4.單項選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時又可減少雜質(zhì)污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
5.單項選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
最新試題
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題