問(wèn)答題假定兩種半導(dǎo)體除禁帶寬度以外的其他性質(zhì)相同，材料1的禁帶寬度為1.1eV，材料2的禁帶寬度為3.0eV，計(jì)算兩種半導(dǎo)體材料的本征載流子濃度比值，哪一種半導(dǎo)體材料更適合制作高溫環(huán)境下工作的器件？
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四元固溶體的帶隙與晶格常數(shù)圖，說(shuō)明與GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶體的帶隙可調(diào)整大致的范圍是多少？
最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題