第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。