理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。